Novi Intelovi 3D tranzistori smanjuju potrošnju energije za 50 posto

Najveći svjetski proizvođač procesora Intel najavio je revolucionarno postignuće u razvoju tranzistora, mikroskopskih temeljnih sastavnica modernih elektroničkih uređaja – 3D tranzistori za 22 nanometarske čipove.

Prvi će se put od izuma silicijskih tranzistora prije više od pedeset godina u masovnoj proizvodnji naći tranzistori u kojima se koristi trodimenzionalna struktura. Intel će revolucionarni 3D dizajn tranzistora pod nazivom Tri-Gate, koji je prvi put predstavio 2002., uvesti u masovnu proizvodnju na 22-nanometarskoj razini tijekom ove godine, u čipu pod kodnim nazivom Ivy Bridge.

Trodimenzionalni tranzistori Tri-Gate velik su iskorak u odnosu na dvodimenzionalnu, planarnu strukturu tranzistora koji već desetljećima čine temelj ne samo računala, mobilnih telefona i potrošačkih elektroničkih uređaja, već i elektroničkih upravljačkih sustava u automobilima, svemirskim letjelicama, kućanskim aparatima, medicinskim uređajima te doslovno tisućama drugih uređaja koji se svakodnevno koriste, tvrde u Intelu.

Novi 22-nanometarski 3D tranzistori Tri-Gate pri niskom naponu nude povećanje performansi od maksimalno 37 posto u odnosu na Intelove 32-nanometarske planarne tranzistore. To nevjerojatno poboljšanje čini ih idealnima za primjenu u malim ručnim uređajima, kojima će omogućiti rad uz smanjenu potrošnju energije. Osim toga, novi tranzistori troše barem 50 posto manje energije uz performanse jednake onima 2D planarnih tranzistora na 32-nanometarskim čipovima.

„Intelovi znanstvenici i inženjeri ponovno su izumili tranzistor, ovaj put uz korištenje treće dimenzije“, izjavio je Paul Otellini, Intelov predsjednik i generalni direktor. „Na tim će se temeljima stvarati nevjerojatni uređaji koji će definirati svijet u kojem živimo, a istodobno ćemo Mooreov zakon odvesti na novu razinu“, ističe Otellini

Znanstvenici su već odavno svjesni činjenice da 3D struktura nudi velike prednosti u nastojanjima da se održi ritam Mooreova zakona jer su dimenzije uređaja postale toliko male da su fizikalni zakoni postali prepreka daljnjem napretku. Temelj novopredstavljenog revolucionarnog postignuća jest činjenica da je Intel uspio implementirati svoj inovativni 3D dizajn tranzistora Tri-Gate u masovnu proizvodnju, čime je najavio novu eru u primjeni Mooreova zakona i otvorio vrata novoj generaciji inovacija u širokoj paleti uređaja.

Mooreov je zakon prognoza brzine razvoja silicijske tehnologije koja kaže da se približno svake dvije godine gustoća tranzistora udvostručuje, dok se istodobno povećava broj funkcija i performanse, a smanjuju troškovi. Tijekom proteklih je četrdeset godina taj zakon postao osnovni poslovni model u poluvodičkoj industriji.

Intelovi 3D tranzistori Tri-Gate omogućuju korištenje čipova pri manjem naponu i uz manje rasipanje energije, čime se nudi neviđena ušteda energije i povećanje performansi u odnosu na dosadašnje tranzistore najviše klase. Nove mogućnosti projektantima čipova nude fleksibilnost u obliku odabira tranzistora namijenjenih niskoj potrošnji energije ili visokim performansama, ovisno o primjeni.